El Ejército de EE. UU. elige a Navitas para desarrollar semiconductores SiC de 10 kV
El Ejército estadounidense selecciona a Navitas Semiconductor, tras un proceso competitivo, para liderar el programa ALATTIS de desarrollo de chips de carburo de silicio de muy alta tensión destinados a defensa e infraestructuras críticas.
Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) ha anunciado que se ha hecho con el programa ALATTIS (Accelerated, Large-Area, 10 kV SiC IGBT), una iniciativa con la que desarrollará la próxima generación de semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC) capaces de trabajar a 10 kilovoltios. La compañía, con sede en Torrance (California), se ha impuesto en una evaluación competitiva en la que el Ejército de Estados Unidos ha comparado a las principales empresas estadounidenses de esta tecnología y ha acabado eligiendo a Navitas por su experiencia en SiC de ultra alta tensión (UHV), su capacidad de cumplir requisitos de fiabilidad propios del ámbito militar y por contar con una cadena de fabricación anclada en territorio estadounidense.
El proyecto, todavía en fase de prototipo, consiste en diseñar, fabricar y validar un proceso de producción nacional que hoy no existe para dispositivos SiC de muy alta tensión (igual o superior a 10 kV). El programa está patrocinado por el Army Research Laboratory (ARL), que opera bajo el Mando de Desarrollo de Capacidades de Combate del Ejército estadounidense (DEVCOM), y cuenta con el respaldo del Joint Experimentation and Technology Accelerator (JETX). El objetivo último es acelerar el desarrollo de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de 10 kV en SiC y de los diodos PiN asociados, componentes clave para sistemas críticos que utilizan las Fuerzas Armadas y que también aparecen en infraestructuras eléctricas.
Navitas llega a este encargo con un historial largo en este terreno. Su catálogo GeneSiC, liderado por su arquitectura patentada de MOSFET planar asistido por trinchera (TAP), cubre tensiones de 650 V a 6,5 kV y se fabrica y respalda desde una cadena de suministro estadounidense. La empresa acumula varios hitos en SiC de ultra alta tensión: los tiristores SiC de 6,5 kV de 2010, que recibieron un premio R&D 100 ese mismo año; los diodos PiN de 10 a 15 kV de 2012; y el lanzamiento comercial de los MOSFET SiC de 6,5 kV en 2021. "El premio ALATTIS supone un hito importante para avanzar en dispositivos de potencia de carburo de silicio de ultra alta tensión y reconoce más de 20 años de innovación de Navitas", ha señalado Siddarth Sundaresan, vicepresidente senior y director de Tecnología de la compañía, que destaca que el programa le permite extender su liderazgo más allá de los MOSFET SiC hacia los IGBT de 10 kV.
Más allá del anuncio, conviene tener claro qué es y qué no es esta noticia. No hay cifras económicas, ni importes del contrato, ni plazos concretos, ni pedidos comprometidos: es un programa de investigación y desarrollo con un cliente institucional muy relevante. Navitas describe su negocio en torno a dos patas tecnológicas (los chips GaN de la marca GaNFast y los SiC de GeneSiC) que apuntan a centros de datos de inteligencia artificial, computación de altas prestaciones, energía y red eléctrica, electrificación industrial y defensa. La empresa asegura contar con más de 300 patentes concedidas o en trámite.
El análisis de Salseo
- Cuidado con el titular: no es un contrato de ventas, es un programa de I+D con el Ejército. Aporta validación técnica y una etiqueta valiosa (proveedor nacional de tecnología crítica), pero no ingresos inmediatos ni cifras. La reacción del mercado suele ser desproporcionada ante cualquier mención a defensa.
- El salto tecnológico es la parte jugosa: Navitas domina MOSFET de SiC hasta 6,5 kV y ahora entra en IGBT de 10 kV, un terreno donde el propio programa admite que no existe un proceso de fabricación nacional. Si lo consigue, se coloca en el centro de la cadena de suministro de muy alta tensión para defensa y red eléctrica, un segmento con menos competencia aparente que el de los chips para centros de datos.
- La señal a vigilar: los hitos de diseño, fabricación iterativa y pruebas que vaya publicando el programa, y si ALATTIS acaba derivando en contratos de producción o en financiación adicional del Departamento de Defensa. Sin esa conversión posterior, el impacto se quedará en lo reputacional.
- El matiz que el comunicado no cuenta: no se detalla importe, ni duración, ni cuántos dispositivos se van a fabricar. Es una apuesta a varios años y no mueve las cuentas del próximo trimestre, donde lo que de verdad pesa en la valoración de Navitas es su negocio ligado a la inteligencia artificial y la energía, no los programas militares.