El ETF DRAM se dispara un 20%: ¿vuelve la fiebre por las memorias o es un espejismo?
Los inversores vuelven a apostar fuerte por las empresas de memoria. El ETF DRAM sube con fuerza mientras gigantes como Micron y SK Hynix lideran el rebote, pero los riesgos de concentración y ciclicidad no han desaparecido.
El Roundhill Memory ETF, conocido por su ticker DRAM, ha subido un 20% desde sus mínimos de este mes, alcanzando los 59,23 dólares. Este rebote refleja un renovado apetito por las acciones del sector de memorias, que habían sufrido un duro castigo en semanas anteriores. Los inversores están comprando la caída, y el fondo ha recibido más de 10.000 millones de dólares en entradas netas solo en el último mes, hasta alcanzar un patrimonio de 23.000 millones.
Las grandes compañías del sector están tirando del carro. En Corea del Sur, Samsung Electronics ha repuntado más de un 12% desde sus mínimos recientes, y SK Hynix ha escalado un 14%, situándose en 1.919.000 wones. En Estados Unidos, Micron Technology también ha experimentado un fuerte tirón alcista, con un salto del 12% en una sola sesión días atrás. Otras como SanDisk, Kioxia y Seagate Technologies se han sumado a la fiesta.
Detrás de este optimismo está la convicción de que la demanda de capacidad de cómputo sigue superando con creces la oferta disponible. Los analistas de UBS señalaron recientemente que no ven pánico en la industria de semiconductores y memorias, y que los grandes proveedores de nube —los hyperscalers— mantienen su ritmo de gasto. De hecho, Alphabet acaba de anunciar que elevará su inversión en capital este año hasta los 205.000 millones de dólares, destinados en su mayoría a centros de datos.
Las valoraciones de los analistas también alimentan el apetito comprador. El precio objetivo medio para Micron se sitúa en 1.268 dólares, muy por encima de los 960 actuales, con algunas firmas como DA Davidson, Susquehanna y Barclays apuntando incluso a los 2.000 dólares. En el caso de SanDisk, todos los analistas de Wall Street que la siguen tienen recomendación de compra, con un objetivo medio de 1.820 dólares frente a los 1.600 actuales, y Susquehanna eleva la apuesta hasta los 3.250 dólares.
Sin embargo, no todo es color de rosa. El ETF DRAM arrastra riesgos importantes. El principal es su elevada concentración: tres compañías representan más del 70% del fondo. Además, el sector de las memorias es notoriamente cíclico. Los periodos de alta demanda llevan a un aumento de producción que acaba hundiendo los precios, como ocurrió en 2023, cuando los ingresos se desplomaron. También existe el peligro de que los hyperscalers reduzcan su gasto en el futuro, o de que este rebote no sea más que un "rebote del gato muerto", es decir, una subida pasajera dentro de una tendencia bajista.
El análisis de Salseo
- El rebote del ETF DRAM se apoya en dos patas: la compra agresiva por parte de inversores que ven una oportunidad tras las caídas, y el mensaje de los analistas de que la demanda de memoria sigue fuerte. Pero la subida del 20% en pocas semanas también puede estar inflada por el efecto "miedo a quedarse fuera".
- La clave a corto plazo serán los resultados de los grandes clientes (Amazon, Meta, Apple y Microsoft la semana que viene) y de los fabricantes (SK Hynix el 29 de julio, SanDisk el 5 de agosto). Si confirman que el gasto en infraestructura sigue acelerando, el rebote podría tener más recorrido; si no, el castigo será doble.
- El riesgo de concentración del ETF es real: si uno de los tres grandes (Samsung, SK Hynix o Micron) tropieza, el fondo se lleva un golpe desproporcionado. Para un inversor particular, esto significa que DRAM no es una apuesta diversificada, sino una forma de amplificar la exposición a un puñado de nombres.
- La ciclicidad del sector es el elefante en la habitación. Hoy todos hablan de escasez, pero la historia demuestra que los periodos de vacas gordas llevan a sobreinversión y luego a un desplome de precios. Quien entre ahora debe tener claro que esto no es un sector para comprar y olvidarse.