Micron apunta a producir en masa su próxima generación de DRAM y NAND en 2027
Micron asegura que sus nuevos nodos de DRAM y NAND avanzan según lo previsto y empezarán a producirse en volumen en el segundo semestre de 2027, con la vista puesta en la memoria de alto rendimiento que exige la inteligencia artificial.
Micron Technology ha puesto fecha a su próxima generación de memoria. La compañía ha asegurado que el desarrollo de sus nuevos nodos de DRAM y NAND avanza según lo previsto y que ambos están en camino de empezar su producción en volumen en el segundo semestre del año natural 2027. No es un lanzamiento inminente, pero sí una hoja de ruta que la firma quiere dejar clara ante el mercado, presentándose como líder tecnológico del sector.
Para entender por qué se le da importancia a esto conviene saber qué es un 'nodo'. En el mundo de los chips, un nodo es una generación de tecnología de fabricación: cada nueva versión permite meter más circuitos en el mismo espacio, fabricar más chips por oblea y, sobre todo, abaratar el coste de cada unidad de memoria. Micron enmarca el anuncio en su familia actual: el nodo DRAM 1-gamma y los nodos NAND G9 son hoy sus mayores líneas de producción y van camino de convertirse en los de mayor volumen de toda su historia, según la propia empresa. La DRAM es la memoria de trabajo que usan los ordenadores y servidores, mientras que la NAND es la memoria de almacenamiento, la de los discos y tarjetas.
El interés de la noticia no está solo en fabricar más barato, sino en qué se fabrica con ello. Micron ha explicado que está aprovechando estos nodos junto a sus capacidades de empaquetado avanzado para colocar productos punteros en toda la escala de la memoria: memoria HBM (la que se apila junto a los procesadores de inteligencia artificial), módulos SOCAMM de alta capacidad, módulos DDR de alto rendimiento y discos SSD para centros de datos. Es decir, la empresa no quiere limitarse a vender memoria barata, sino la memoria más cara y demandada del momento.
El contexto importa: la memoria vive un momento dulce por el tirón de la inteligencia artificial, que consume muchísimos chips de alto rendimiento, y Micron ha defendido en paralelo que espera que su ejercicio fiscal 2027 sea "otro año récord" y que seguirá invirtiendo de forma disciplinada. Aun así, conviene tomarse el anuncio con la cautela que merece un calendario a más de dos años vista: la compañía no ha detallado cuánto invertirá en estos nodos ni qué clientes los adoptarán primero, y en el sector de la memoria los retrasos en la puesta en marcha de nuevas tecnologías han sido históricamente habituales.
El análisis de Salseo
- El calendario es la clave: hablar del segundo semestre de 2027 significa que esto no toca las cuentas de los próximos trimestres. Lo relevante es que Micron confirma que no se queda atrás en la carrera tecnológica; la señal a vigilar es que no haya retrasos ni rebajas de este objetivo en las presentaciones intermedias.
- En memoria, el coste por unidad lo es casi todo. Cada generación nueva de nodo permite fabricar más bits con las mismas fábricas y a menor coste, lo que da margen para aguantar mejor las caídas de precio del sector o para ganar más cuando los precios suben. Cuando Micron dice que 1-gamma y G9 serán sus nodos de mayor volumen histórico, está hablando de eficiencia industrial, no de marketing.
- Las aplicaciones que cita (HBM, SOCAMM, DDR y SSD de centro de datos) apuntan a donde se juega la tesis: la memoria premium que chupa la inteligencia artificial, con mejores márgenes que la memoria estándar. El dato concreto que habría que seguir es su cuota y sus precios en HBM, donde se decide buena parte del beneficio del ciclo.
- Lectura contraria: es una declaración de hoja de ruta, no unos resultados ni una cifra de inversión. En este sector, prometer nodos 'en camino' es fácil y cumplirlos a tiempo ha sido históricamente complicado, así que sin clientes concretos ni importes sobre la mesa el anuncio es más una declaración de intenciones que una prueba de ejecución.