Navitas lleva a PCIM 2026 sus avances en GaN y SiC para centros de datos de IA y redes eléctricas
La compañía de semiconductores de potencia mostrará soluciones que eliminan etapas de conversión y apuntan a eficiencias récord en aplicaciones de IA, infraestructura energética e industria.
Navitas Semiconductor, especialista en semiconductores de potencia de nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio (SiC), ha anunciado las novedades que presentará en la feria PCIM 2026, que se celebra en Núremberg del 9 al 11 de junio. La compañía, que cotiza en el Nasdaq con el ticker NVTS, pondrá el foco en tres grandes áreas: centros de datos para inteligencia artificial, infraestructura energética y de red, y electrificación industrial.
En el apartado de centros de datos, Navitas mostrará dos soluciones pensadas para acelerar la transición al estándar de 800 voltios en corriente continua. La primera es una placa de entrega de potencia de 20 kW que convierte directamente de 800 V a 6 V, con una eficiencia máxima del 97,5%. Lo interesante es que elimina la etapa intermedia de conversión a 48 V que se usa habitualmente, lo que mejora la eficiencia global, la fiabilidad y la densidad de potencia. La segunda es una plataforma de 10 kW que pasa de 800 V a 50 V, con una densidad de potencia de 2,1 kW por pulgada cúbica y una eficiencia máxima del 98,5%, utilizando sus últimos FETs GaNFast de 650 V y 100 V.
Para el sector de la red y la infraestructura energética, Navitas presentará dos topologías de transformadores de estado sólido (SST) basadas en su tecnología GeneSiC de alta tensión. Una de ellas ha sido desarrollada junto con la EPFL e integra en una sola etapa el convertidor primario, el transformador y la conversión secundaria, usando dispositivos de SiC de 3300 V y 1200 V. La otra es una solución bidireccional de 50 kVA que emplea módulos SiCPAK de 3300 V y microcontroladores de Texas Instruments.
En el ámbito industrial, la compañía mostrará inversores para control de motores basados en sus circuitos integrados GaNSense Motor Drive, que integran detección de corriente sin pérdidas, detección de tensión y protección de temperatura. También exhibirá sus circuitos integrados de potencia GaNSlim, orientados a simplificar el desarrollo de soluciones de alta eficiencia y densidad para aplicaciones de computación de alto rendimiento.
Además de la exposición en su stand (Hall 9, stand 544), Navitas participará en varias mesas redondas durante la feria. Entre ellas, una sobre el futuro del GaN en automoción, IA y robots humanoides, y otra sobre la evolución de la distribución de energía en centros de datos. La compañía también presentará sus últimos dispositivos SiC de 3300 V, 2300 V y 1200 V con tecnología Trench Assisted Planar, y sus MOSFETs de quinta generación GeneSiC para centros de datos de IA.
El análisis de Salseo
- La eliminación de la etapa intermedia de 48 V en la placa de 20 kW es un movimiento estratégico: simplifica la arquitectura de alimentación de los racks de IA y reduce costes y pérdidas, algo que los grandes operadores de centros de datos están pidiendo a gritos para soportar chips cada vez más hambrientos de energía.
- El salto a los 800 V en corriente continua dentro del centro de datos es una tendencia clara, y Navitas quiere posicionarse como habilitador clave con sus soluciones GaN. Si esta transición se acelera, el mercado potencial para sus productos crece de forma significativa.
- La apuesta por los transformadores de estado sólido (SST) para conectar la red de media tensión directamente a 800 V es una jugada a largo plazo: hoy es un nicho, pero si se estandariza, podría abrir un mercado enorme en infraestructura energética y recarga de vehículos eléctricos.
- La colaboración con la EPFL y el uso de módulos de SiC de 3300 V subrayan la ambición de Navitas en alta tensión, un terreno donde la fiabilidad y la certificación son barreras de entrada altas, pero también donde los márgenes pueden ser más jugosos.