Soitec y NTU Singapur logran hitos clave para el 6G con nitruro de galio
La colaboración de cuatro años entre Soitec y la universidad singapurense ha demostrado que el nitruro de galio sobre silicio puede ser la base de los futuros móviles 6G, con una eficiencia energética récord.
Soitec, el fabricante francés de materiales semiconductores avanzados, y la Universidad Tecnológica de Nanyang (NTU) de Singapur han anunciado los resultados de su programa conjunto de investigación de cuatro años sobre conectividad 6G. El anuncio se produce en el marco del Mobile World Congress (MWC) 2026, la gran feria mundial de la telefonía móvil que se celebra en Barcelona.
El trabajo conjunto ha dado lugar a tres artículos técnicos que demuestran el alto rendimiento de los dispositivos de nitruro de galio (GaN) fabricados sobre las obleas epitaxiales avanzadas de Soitec. Este avance supone un paso importante para la conectividad 6G en las bandas de frecuencia FR3 y de ondas milimétricas (mmWave), que son las que se espera que utilicen las futuras redes móviles.
La transición al 6G aumenta las exigencias de densidad de potencia, ancho de banda y eficiencia energética, lo que plantea retos particulares para dispositivos compactos como los smartphones y los wearables conectados. En este contexto, la investigación publicada destaca el potencial del nitruro de galio sobre silicio (GaN-on-Si) para complementar a las tecnologías de arseniuro de galio (GaAs) en los futuros módulos de radiofrecuencia frontal de los móviles.
Aprovechando los sustratos epitaxiales especializados de GaN sobre silicio desarrollados en Soitec Bélgica, el equipo conjunto logró niveles récord de eficiencia de potencia añadida (PAE) a bajo voltaje, algo crucial para la batería de un teléfono, y un rendimiento de frecuencia sobresaliente en FR3 y mmWave. En concreto, los investigadores de NTU alcanzaron niveles de PAE superiores al 50% en frecuencias FR3, lo que confirma la idoneidad de estos sustratos para soluciones de radiofrecuencia altamente integradas y energéticamente eficientes.
Estos resultados subrayan la capacidad del GaN sobre silicio para combinar un alto rendimiento de radiofrecuencia con las ventajas de coste, escalabilidad e integración de las plataformas de silicio. Frente a las soluciones tradicionales basadas en GaAs, el GaN sobre silicio puede soportar mayor potencia de salida, mejorar la gestión térmica y reducir la complejidad del sistema, permitiendo diseños de front-end de RF más pequeños y eficientes. En conjunto, estos avances allanan el camino para estaciones base 6G más compactas y eficientes, así como para la próxima generación de teléfonos móviles, acelerando la maduración del ecosistema global de GaN tanto en infraestructuras como en mercados de consumo.
El análisis de Salseo
- El anuncio posiciona a Soitec como un proveedor clave de sustratos para la próxima generación de móviles: si el GaN sobre silicio se convierte en el estándar para los front-end de RF del 6G, la compañía tendría una ventaja de primer jugador en un mercado potencialmente enorme.
- La eficiencia energética récord (más del 50% de PAE) es el dato más relevante para el usuario final: implica que los futuros móviles 6G podrían consumir menos batería en la transmisión de datos, un dolor de cabeza clásico de cada salto generacional.
- El respaldo académico de NTU Singapur da credibilidad a la tecnología, pero el siguiente paso crítico es la adopción industrial: habrá que vigilar si los grandes fabricantes de chips para móviles (Qualcomm, MediaTek, Skyworks, Qorvo) empiezan a licenciar o comprar estas obleas.
- La noticia es positiva para Soitec, pero su impacto a corto plazo en la cuenta de resultados es limitado: el 6G comercial no llegará hasta finales de la década, así que esto es una apuesta de futuro, no un catalizador inmediato.